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記憶體廠華邦電(2344-TW)今天與國內10家金融機構舉行三年期50億元之聯合授信簽約儀式，華邦電表示，此聯貸案資金主要用途，為充實營運週轉金及償還暨有金融機構借款。

此簽約儀式由華邦電董事長焦佑鈞及中國信託商業銀行總經理陳佳文先生共同主持，參與聯貸案的金融機構包括中國信託商業銀行、台新國際商業銀行、第一商業銀行及星展銀行，共計十家國內金融機構所組成。

華邦電指出，公司專注於快閃記憶體、行動型動態隨機存取記憶體及利基型動態隨機存取記憶體的生產，並持續透過製程提升、優化NOR Flash及DRAM產能配置及多元化產品組合，並希望藉由58奈米及46奈米的量產，進一步提升成本競爭力。

華邦今年資本支出預估26億元，主要用途為銜接製程轉換進度，平衡NOR Flash及DRAM產能規劃，華邦電第3季NOR Flash、以58奈米製程技術生產的部份，占總營收的15%；Specialty DRAM在46奈米製程產品的營收持續升高，已達產品線的20%%；產能部分，華邦電Flash月產能將提升至1.6萬片，DRAM為1.8萬片。

華邦電表示，將持續提升58奈米產品出貨，以促進營收成長並改善毛利率；華邦電第3季每股虧損0.09元，毛利率為11%較第2季增加5%，公司預估在46奈米與58奈米製程不斷推進下，將提升毛利率表現，第4季毛利率還有機會向上。